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CVD技术是一种快速、多用途的辅助薄膜生长的方法,可以用来生成具有一致的厚度、可控孔隙率的纯涂层,甚至可用于复杂或弯曲表面。CVD用于制造MEMS器件中的结构材料和功能薄膜,如多晶硅和氮化硅。
氮化硅具有独特的电气特性,因此在微电子应用中被越来越多地用作绝缘体和化学屏障,用于制造集成电路,保护器件封装。
氮化硅通常是通过金属硅和气态氮的化学反应合成的。零件经过精心压制和烧结,并采用成熟的方法使其具有特殊性能,从而确定最终用途。氮化硅的形成方法因所需类型而异。每种方法都会增加最终材料的特定强度。
材料表征和性能测试过程中用到的测试技术和仪器设备众多,但每种表征方式对样品的要求都极高。氮化硅薄膜窗口作为样品杆的支撑载网,其重要性也不言而喻。
氮化硅薄膜窗口卓越的光学清晰度,使研究人员能够以高度的精度和细节观察材料。
两位教授在研究中采用了原位芯片(YW MEMS (Suzhou) Co., Ltd)自主研发生产的氮化硅薄膜作为载体,在平整洁净的氮化硅薄膜上采用磁控溅射的方式,在上面进行Pd图案化镀膜,发现采用PES预沉积法制备的PdSe2薄膜的应变系数优于多晶硅薄膜。经研究后发现PdSe2薄膜优异的压阻性能、压敏性以及CMOS工艺合成方法为MEMS传感器的集成提供了许多潜力。