氮化硅具有独特的电气特性，因此在微电子应用中被越来越多地用作绝缘体和化学屏障，用于制造集成电路，保护器件封装。

氮化硅通常是通过金属硅和气态氮的化学反应合成的。零件经过精心压制和烧结，并采用成熟的方法使其具有特殊性能，从而确定最终用途。氮化硅的形成方法因所需类型而异。每种方法都会增加最终材料的特定强度。

材料表征和性能测试过程中用到的测试技术和仪器设备众多，但每种表征方式对样品的要求都极高。氮化硅薄膜窗口作为样品杆的支撑载网，其重要性也不言而喻。

氮化硅薄膜窗口卓越的光学清晰度，使研究人员能够以高度的精度和细节观察材料。

两位教授在研究中采用了原位芯片（YW MEMS (Suzhou) Co., Ltd）自主研发生产的氮化硅薄膜作为载体，在平整洁净的氮化硅薄膜上采用磁控溅射的方式，在上面进行Pd图案化镀膜，发现采用PES预沉积法制备的PdSe2薄膜的应变系数优于多晶硅薄膜。经研究后发现PdSe2薄膜优异的压阻性能、压敏性以及CMOS工艺合成方法为MEMS传感器的集成提供了许多潜力。

大的应力会引起圆片较大的形变，造成芯片成品率低等问题，对圆片的工艺流片产生不利的影响。