透射电子显微镜（TEM）氮化硅（Si₃N₄）薄膜窗口是一种在纳米尺度表征领域至关重要的工具，其核心作用是为液体、气体或软物质样品提供稳定的TEM观察环境，同时保护样品免受电子束损伤和污染。以下是其具体应用场景及技术优势的详细分析：

近日中科院福建物构所温珍海教授、中国石油大学（华东）范壮军教授、黄毅超教授、上海交通大学高文旆副教授等人共同开发了一种Pt/Mo2N-NrGO电催化剂，在碱性电解水析氢反应中具有良好的反应性能。本研究中采用了原位芯片（YW MEMS (Suzhou) Co., Ltd）自主研发的氮化硅薄膜作为透射电子显微镜表征的载体，将催化剂粉末在无水乙醇中制备成ink，随后滴在氮化硅薄膜上进行TEM、STEM、EDS的表征。

氮化硅薄膜在半导体生产中主要作为功能性保护窗口，通过高致密性、化学稳定性和工艺兼容性，实现器件钝化、光刻掩膜、减反增透等功能；在分析中则作为观测与表征窗口，利用其超薄、低干扰特性，支持TEM、XPS、SIMS等高精度表征技术，保障样品原始状态和信号准确性。两者的核心均依赖于氮化硅“隔离-保护-传输”的多功能特性，是半导体制造与研发中不可或缺的关键材料。

同步辐射光源是一类利用高能电子在磁场中做曲线运动时产生的电磁辐射的高亮度光源，具有亮度高、频谱宽、准直性好、偏振可调等特点，广泛应用于材料科学、生命科学、化学、物理学等领域。根据发展阶段和技术特点，同步辐射光源主要分为四代，此外还有基于受激辐射的自由电子激光（FEL），常被视为同步辐射的延伸。

氮化硅薄膜成为TEM/SEM观察耗材的核心原因在于其化学稳定性、绝缘性、机械强度以及在微电子/MEMS中的广泛应用。尽管存在电子束损伤风险，但其综合性能优势使其成为研究微孔结构、界面缺陷及工艺监控的理想选择。通过优化制备参数（如低剂量电子束、离子减薄条件），可进一步发挥其在高分辨成像中的潜力。

同步辐射氮化硅薄膜窗口的制造是一个精密的多步骤过程，涉及材料科学、微纳加工和工艺优化。