氮化硅薄膜在半导体生产中主要作为功能性保护窗口，通过高致密性、化学稳定性和工艺兼容性，实现器件钝化、光刻掩膜、减反增透等功能；在分析中则作为观测与表征窗口，利用其超薄、低干扰特性，支持TEM、XPS、SIMS等高精度表征技术，保障样品原始状态和信号准确性。两者的核心均依赖于氮化硅“隔离-保护-传输”的多功能特性，是半导体制造与研发中不可或缺的关键材料。

同步辐射光源是一类利用高能电子在磁场中做曲线运动时产生的电磁辐射的高亮度光源，具有亮度高、频谱宽、准直性好、偏振可调等特点，广泛应用于材料科学、生命科学、化学、物理学等领域。根据发展阶段和技术特点，同步辐射光源主要分为四代，此外还有基于受激辐射的自由电子激光（FEL），常被视为同步辐射的延伸。

氮化硅薄膜成为TEM/SEM观察耗材的核心原因在于其化学稳定性、绝缘性、机械强度以及在微电子/MEMS中的广泛应用。尽管存在电子束损伤风险，但其综合性能优势使其成为研究微孔结构、界面缺陷及工艺监控的理想选择。通过优化制备参数（如低剂量电子束、离子减薄条件），可进一步发挥其在高分辨成像中的潜力。

同步辐射氮化硅薄膜窗口的制造是一个精密的多步骤过程，涉及材料科学、微纳加工和工艺优化。

氮化硅（Si₃N₄）薄膜窗口因其优异的机械强度、化学稳定性和透光性（尤其在紫外至近红外波段），在半导体、电子显微镜、MEMS、光学和新能源等领域广泛应用。

电镜载网（TEM Grid）是透射电子显微镜（TEM）样品支撑的核心部件，通常为直径3.05毫米（标准尺寸）的圆形金属薄片，表面带有微米级孔阵（如方形、圆形或多边形孔），用于承载纳米级样品（如薄膜、颗粒、生物切片等）。其核心功能是提供机械支撑，同时确保电子束能够穿透样品和载网孔区域，形成高分辨率的透射电子图像。