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原位芯片氮化硅薄膜窗口

发布时间:2021-04-14 14:30:39

原位芯片提供电镜设备观测使用的氮化硅薄膜窗口,可用于TEM、SEM、X-Ray电镜实验使用。苏州原位芯片氮化硅薄膜窗口具有高洁净度,高X-射线透射性,低应力,高强度且膜厚均匀一致的特性,适用于高温(~1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。

氮化硅薄膜窗口 同步辐射 原位芯片2.jpg

氮化硅膜(Silicon nitridc film)是指硅氮化合物的薄膜,常用作微电子技术电绝缘层。化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成,多余的硅原子在其中排列成六方结构。化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成,多余的硅原子在其中排列成六方结构。氮化硅低温相的点阵常数为a=0.758nm,c=0.5623nm。它的介电常数高达6-7,击穿场强1x107V·cm。可用化学气相沉积和溅射法制备。

 

通常采用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备,沉积温度低于300℃。这样得到的氮化硅膜(P-SiN)中通常含有大量氢(约2x1022cm),Si /N比在0.8-1.0范围,这对于性能有明显的影响,因此要求严格控制工艺参数。P-Si N用作绝缘层的优点是沉积温度低、阶梯覆盖性好、耐水和碱离子作用、机械强度大、粘着性好、内应力低于氮化硅膜、可制成厚膜而不开裂。

 

 

由于氮化硅具有高硬度(块体硬度HV17.2GPa)和优良的化学稳定性,它是很受重视的耐磨抗蚀膜。但由于膨胀系数低,当沉积在金属基材上时,产生较大的界面应力,对基体附着差。


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