氮化硅薄膜在半导体生产中主要作为功能性保护窗口，通过高致密性、化学稳定性和工艺兼容性，实现器件钝化、光刻掩膜、减反增透等功能；在分析中则作为观测与表征窗口，利用其超薄、低干扰特性，支持TEM、XPS、SIMS等高精度表征技术，保障样品原始状态和信号准确性。两者的核心均依赖于氮化硅“隔离-保护-传输”的多功能特性，是半导体制造与研发中不可或缺的关键材料。

同步辐射光源是一类利用高能电子在磁场中做曲线运动时产生的电磁辐射的高亮度光源，具有亮度高、频谱宽、准直性好、偏振可调等特点，广泛应用于材料科学、生命科学、化学、物理学等领域。根据发展阶段和技术特点，同步辐射光源主要分为四代，此外还有基于受激辐射的自由电子激光（FEL），常被视为同步辐射的延伸。

氮化硅薄膜成为TEM/SEM观察耗材的核心原因在于其化学稳定性、绝缘性、机械强度以及在微电子/MEMS中的广泛应用。尽管存在电子束损伤风险，但其综合性能优势使其成为研究微孔结构、界面缺陷及工艺监控的理想选择。通过优化制备参数（如低剂量电子束、离子减薄条件），可进一步发挥其在高分辨成像中的潜力。